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江苏科技信息 ›› 2018, Vol. 35 ›› Issue (22): 26-28.

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硅外延雾状表面形成机制研究

周幸   

  1. 中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津,300220
  • 出版日期:2018-08-05 发布日期:2018-08-05

Study on the formation mechanism of haze on the silicon epitaxial surface

Zhou Xing   

  • Online:2018-08-05 Published:2018-08-05

摘要： 当前,硅外延片作为制备功率MOS等器件的关键支撑材料,对其表面的结晶质量有愈加严格的要求.硅外延片表面一旦存在雾状缺陷也就意味着晶体完整性遭到破坏,后续在器件工艺流片后将直接导致器件漏电大、软击穿,严重影响产出良率.文章通过对表面形貌和微粗糙度的测定,分析了硅外延片出现雾状缺陷的起因,为后续有效防止该现象再生提供了解决思路.

关键词: 硅外延片, 表面缺陷, 雾状表面, 微粗糙度